据韩国半导体业界近日解析，三星电子正在鼎新12纳米级动态立时存取存储器（DRAM）“D1b”的盘算。

　　三星电子于2023年头次量产“D1b”，行使于显卡DRAM和手机DRAM上。这次改革已坐褥一年多的DRAM盘算是半导体行业中狡饰的案例。

　　专科东谈主士默示，改革盘算并不是一个容易的决定，制造工艺产生变化后，会升迁资本，此举意味着公司有鼎新工艺和居品的紧迫意志。

　　三星电子如故在阐述新的“D1b”盘算修改坐褥工艺，于2024年下面达了蹙迫征战订单，升级了现存坐褥线，并进行了工夫升沉。讨论到征战缔造和试运转的过程，新款“D1b”将于年内量产，预测最快第二季度或第三季度发布。

　　除改革“D1b”盘算外，三星电子还启动了名为“D1b-p”的新开发花式，以增强DRAM竞争力。“D1b-p”的特色是安谧升迁电源效果和发烧，使用了英文单词“prime”中的首字母p，旨在强调居品“更为优秀”。

　　三星电子正面对着竞争敌手的强盛挑战。韩国SK海力士和好意思国好意思光王人已将“D1b”居品生意化，并在更稳当东谈主工智能期间的高带宽内存上进行行使。SK海力士2024年完成了下一代DRAM“D1c”的开发。与竞争敌手比拟，三星电子现在的“D1b”居品不管在性能如故良品率上王人处于相对颓势，不得伪善践改革半导体盘算等很是要领j9九游会，以填补缺口，增强竞争力。